SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘：步子迈太大
(资料图)
快科技8月9日消息，日前SK海力士宣布全球首发321层堆栈的4D闪存，这也是闪存首次提升到300层以上，核心容量1Tb，TLC类型。
在堆栈层数上，SK海力士的4D闪存因为架构不同，相比其他家来说堆栈层数占优一些，比如之前美光及国产长江存储推出的都是232层闪存，SK海力士上一个记录是238层，多了那么几层。
这次首发321层闪存也是如此，拿到了全球首发，但产品要到2025年才能量产，因此未来两年的变数还很大。
真正值得注意的是，在堆栈层数的竞争上，闪存一哥三星一直很低调，2022年11月份宣布量产第八代V-NAND闪存，TLC类型，核心容量也是1Tb，但堆栈层数没公布，业界分析是230+以上，具体未知。
三星预计在2024年量产第九代V-NAND闪存，层数提升到280，再往后预计2025-2026年推出第十代V-NAND闪存，堆栈层数430+。
这就是为什么三星在300+层闪存技术上被SK海力士偷家的原因，三星计划跳过300层，不打算搞这个级别的闪存，直接进入到400+层时代，到时候这个层数要比友商的300+层领先很多。
三星这次步子迈得很大，计划是美好的，但是跳过这一级别的闪存，技术上挑战也不小，最终能否如愿还要时间来检验。
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